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RTP装置

  • 新規装置
RTP装置
工程 成膜
メーカー Premtek
型式 RTP-1200A(SEC)

 Premtek社のRTP装置は世界で500台以上の納入実績があり、その多くが化合物プロセスで使用されています。

 サセプタを使用してのチャンバー内のプロセスを実施するためSiC/Silicon/Sapphire/GaAs/InPなど多くの化合物ウエハの処理が可能で

  す。また、化合物ウエハの反りが原因での温度測定不良を防ぐために、サセプタ上にTPを配置しています。

 上面ランプ、下面ランプ、サイドランプを複数のゾーンに分配し、各々のゾーンを個別にPIDコントロールすることにより高い面内均

  性実現しています。

 高性能多軸ロボットを搭載することにより位置決め、チャンバー、クーリング・ユニット間をスムーズに反動することが可能です。

 装置内はクラス100で保たれており、オープンカセットの他にSMIFカセットの使用が可能です。

 Windowsベースのソフトウエアは使いやすく、多くのプロセスレシピの登録や変更が容易で、ランタイム時のプロセスの状況を簡単に

  把握することが可能です。

RTP装置

仕様

温度制御範囲 200~1250℃
温度制御方式 マルチPIDコントロール
面内温度均一性 ≦±3%(600℃以下)
  ≦±1.5%(600℃以上)
面内抵抗値均一性 <1.5%~2.5%(1σ)
真空
ウエハ寸法 6~8
加熱ランプ タングステン・ハロゲンランプ
ウエハ搬送 フルオート(5軸ロボット)
プロセスガス系統数 4
ウエハ位置合わせ センタリング
  OCR、アライナー(Op)
昇温レート 25℃/秒(サセプタ使用時)
サセプタ SiCコーティングカーボン
装置外形寸法 D:1580  W:1500  H:1800mm

 

RTP装置

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