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本装置は、4/5/6及び8インチ・ウェハーに対応しており、プラズマCVD法によってウェハーに酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を形成するものです。基本構成は、プロセス・モジュール及びRFジェネレータ・モジュール（高周波,低周波各1Set ）、バキュームポンプ・モジュールの3モジュールで構成されます。 

プロセス・モジュールは、スルー・ザ・ウォールタイプで、省スペース設計となっています。また、バキュームポンプ・モジュールは、プロセス・モジュールから最大18ｍ（4インチ管4つ以下のL字部分を含む）離して設置することができます。

RFジェネレータ・モジュールは高周波（13.56MHz）ジェネレータとして、AE社製RFG-3000を備えています。RFG-3000は水冷式で、最高3000Wを出力します。RFジェネレータも、リモートACボックスより電気を供給され、プロセス・モジュールより制御されます。また、低周波RFジェネレーター（90-450KHz）としては、AE社製 PDX-1400 を備えています。PDX-1400 は、空冷式で、最高1400Wを出力でき、本体内にマッチング回路を備えています。RFジェネレータは、リモートACボックスのリモートスイッチを DISABLE にすることにより、本装置より独立して運転することが出来ます。